IDM 化合物半导体战线扩大

IDM水龙头包括罗姆（Rohm），安森美（Onsemi），英飞凌（Infineon），意法半导体（STM），Wolfspeed等等，将化合物半导体战线从主流6英尺拉到8英寸晶圆厂，追求成本、生产能力和效率的新一波战争正在逐渐酝酿。

近日各大IDM业者化合物半导体陆续进入车辆配送和服务器冲电领域。比如罗姆第四代。SiCMOSFET与闸极驱动IC，日立安斯泰莫等日本车配供应链正式进入，应用于电瓶车（EV）逆变器。

事实上，罗姆从2010年开始量产SiCMOSFET，与主流硅基相比IGBT，电耗可降低6%，有利于电耗降低6%，有利于EV续航里程。

相关业内人士表示，汽车配电功率半导体仍是供需相对紧张的一部分，这也使得台湾二极管厂积极提高汽车使用和工业控制产品的比重。台湾电力元件行业包括强茂、台湾半、德威等。

业者表示，E宽能隙（WBG）由于高功率密度的特点，第三类半导体有利于更高效、更小、更轻的结构EV电动动力总成系统，SiC最重要的应用范围是核心车配逆变器。

对于GaN充电元件可以从完善的硅基工艺出发，硅基氮化镓（GaN-on-Si）这将是快速放大到8英尺甚至12英尺的最有机会的技术，除了快速放大到8英尺甚至12英尺外，IDM龙头大举进军外，台系晶圆代工厂世界先进GaN-on-QST技术也逐步完善。

IC代理商表示，公共云、私有云的快速增长，以及大量数据中心的建设，对服务器电源性能的需求更高，功率密度高GaN部件成为服务器电源的首选方案之一。

如安森美携手IC代理龙头大联大推出5000W服务器电源方案是选择的GaN元件。

上游雷芯片厂IQE8英尺化合物半导体雷芯片已量产，后续不排除向12英尺推进，IQECEOAmericoLemos觉得，「化合物半导体将从利基转向主流」。

GaN，SiC同步推进8英尺是未来的趋势，在各界关注的8英尺厂布局中，罗姆，Wolfspeed，II-VI，意义和法律都是积极的。值得一提的是，观察供应链和终端系统厂的观点，各行各业一般都会问「定价策略」，什么时候能达到与硅基半导体相同的性价比？