英特尔回到38前的存储领域,联合国家实验室研发DRAM
英特尔最初其实是做 DRAM 存储器起家的,而且一度成为存储半导体技术的先驱,并在 1970 年成功造出了全球首款商用 1K Bit pMOS DRAM“Intel 1103”
英特尔回到38前的存储领域,联合国家实验室研发DRAM
虽然不再研发DRAM技术,但英特尔并没有完全脱离存储技术,例如,该公司后来也在IDF2015年宣布与美光合作开发3DXPoint技术,投入精力NANDFlash该领域,也已研发Optane傲腾硬盘,不过几年就卖掉了相关业务。
英特尔分公司“英特尔联邦有限公司”受美国能源部委托,为桑迪亚国家实验室开发新的内存技术。据报道,该技术是美国的一项技术。AMT高级内存技术的一部分主要用于超算领域,旨在加快模拟和计算的应用。
这种全新的DRAM技术没有明确的信息,但目前已经选择了几种技术,整体效率看起来非常强大,比桑迪亚实验室推出的要好NNSA超级计算机的效率是40倍。
据介绍,该项目由国家核安全管理局高级模拟计算项目资助,与桑迪亚、洛斯阿拉莫斯、劳伦斯利弗莫尔三个国家实验室合作,属于NNSA未来100亿次计算计划资产配置的一部分,目标是保持技术研发势头,通过其目标保持技术研发势头,PathForward计划与行业的密切合作,增强了美国在下一代高性能计算技术中的产业竞争力,培育了更强大的国内高性能计算生态系统。