减少支出，美光推迟DRAM技术

据报道，美光将作为减少资本支出的一部分使用EUV光刻的1γnm制程DRAM推迟到2025年，232层以后NAND节点也被推迟了。

美光1γ原定于2024年某一时间推出制造技术，但由于美光必须在2023年和2024年财年减少新设备的开支，并减少DRAMbit出货量必须减慢DRAM在其1β和1γ制造技术的增长率。

企业最新1β制造节点——bit密度提高了35%，电源效率提高了15%，但这项技术仍然依赖于深紫外线（DUV）光刻技术。

为减少资本支出，美光将以此为基础EUV光刻的1γnm制程DRAM将技术推迟到2025年

相比之下，三星和SK第四代10海力士nm等级存储技术(1α，1-alpha）多层使用EUV计划进一步加强一步加强光刻技术nm级DRAM节点中的应用。